在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
水流的两个截面面积为w，下列方程中不属于恒定流连续方程的是（）。
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。
刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀二氧化硅。
从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
下列选项中，不属于流程式管理所强调的内容的是（）
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
下列属于二氧化碳气体保护焊短路过渡焊时的主要焊接工艺参数有（）
晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
在298K、1．01×105Pa条件下，由碳充分燃烧生成1mol二氧化碳气体时，放出的热量为394kJ／mol。下列各热化学方程式中正确的是（）？
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
无刻蚀镀铁是为了()而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量;Ⅱ.发展镀铁工艺;Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点;Ⅳ.提高镀铁效率;Ⅴ.简化工艺。
在298K、1．01×10<sup>5</sup>Pa条件下，由碳充分燃烧生成1mol二氧化碳气体时，放出的热量为394kJ／mol。下列各热化学方程式中正确的是（）？
2、二氧化硅湿法刻蚀常采用的腐蚀液成分主要包含
