晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A . n型掺杂区 B . P型掺杂区 C . 栅氧化层 D . 场氧化层

时间:2022-09-09 18:31:27 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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