在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
湿法刻蚀有什么缺点？
刻蚀工艺会影响光伏池片电学参数中的（）。
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
什么是湿法刻蚀？
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
光刻和刻蚀的目的是什么？
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
刻蚀工艺会影响电池片的哪项电性能？（）
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
下列方程式中属于二氧化硅刻蚀工艺的是（）。
大马士革工艺的重点在于介质的刻蚀而不是金属的刻蚀。
刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。
集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
无刻蚀镀铁是为了()而出现的镀铁新工艺。Ⅰ.提高镀铁质量;Ⅱ.发展镀铁工艺;Ⅲ.克服刻蚀处理的缺点;Ⅳ.提高镀铁效率;Ⅴ.简化工艺。
什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？
