抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。
抑制性突触后电位（）
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
关于抑制性突触后电位不正确()
抑制性突触后电位
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
关于抑制性突触后电位不正确（）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
抑制性突触后电位是
抑制性突触后电位是指突触后膜发生局部去极化。
发生抑制性突触后电位时突触后膜对哪种离子的通透性升高( )
抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）
突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大
抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）
下列关于抑制性突触后电位的叙述（）
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
