绝缘栅双极型晶体管简称（）。
绝缘栅双极晶体管的本质是一个场效应管。（）
绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
绝缘栅双极晶体管IGBT将MOSFET和（）的优点集于一身。
绝缘栅双极晶体管属于（）控制元件。
绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
绝缘栅双极型晶体管内部为（）层结构。
绝缘栅双极晶体管（）电路。
绝缘栅双极晶体管IGBT将（）和GTR的优点集于一身。
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。
IGBT绝缘栅双极晶体管兼有（）的优点。
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力晶体管。
绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
要使绝缘栅双极晶体管导通，应（）。
绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
绝缘栅双极晶体管属于电流控制元件。
绝缘栅双极晶体管具有速度快，输入阻抗高，通态电压低，耐压高，电流量大的特点。（)
绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
BA004 绝缘栅双极型晶体管简称（）
绝缘栅双极晶体管的开关速度（D）电力晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管属于电压控制型器件（）
绝缘栅双极晶体管具有（D）的优点（）
