锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。
为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅、锗、硒等）称为（）。
锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。
晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）
二极管按材料分锗二极管和硅二极管。
硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
在半导体硅（锗）中掺入磷、锑等五价元素，得到P型半导体。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
有机溶剂电镀可用于铝、硅、锗、碳等物质的电镀。
硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（）
电子数为32的锗原子和电子数为（）的硅原子特性很接近.
半导体二极管按（）划分，可分为锗二极管和硅二极管两种。
下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
硅二极管的反向电流比锗二极管小。()
硅二极管的反向电流比锗二极管大。()
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
在同样温度变化的情况下，硅二极管要比锗二极管性能稳定（）
硅二极管的反向电流比锗二极管小。（)
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
