硅二极管的死区约为（）V左右。
二极（硅）管的死区电压为（）。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构，两者的结构和工作原理不一样。（）
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
硅二极管两端典型电压差为（）。
绘图题：请划出硅和锗两种二极管的伏安特性曲线。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
绘图题：请划出硅和锗两种二极管伏安特性曲线。
按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
鉴别硅管和锗管时，可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右（）
硅二极管死区电压为（）V。
