关于PFM冠金瓷结合机制，不正确的是（）

A . 化学结合 B . 压缩结合 C . 范德华力 D . 机械结合 E . 氢键结合

A . 避开咬合功能区 B . 保证瓷层有足够的厚度 C . 避免暴露于唇颊侧而影响美观 D . 避免形成锐角、尖嵴造成应力集中 E . 以上全不是

A . A.范德华力 B . B.化学结合力 C . C.大气压力 D . D.机械结合力 E . E.压缩结合力

A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属-瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

A . 基底冠表面喷砂处理 B . 瓷的热膨胀系数略小于合金 C . 基底冠表面不应使用含有机物的磨具打磨 D . 可在基底冠表面设计倒凹固位 E . 应清除基底冠表面油污

A . A.非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜 B . 贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜 C . 非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜 D . 非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同 E . 理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

A . A.瓷的热膨胀系数可略小于合金 B . B.基底冠表面喷砂处理 C . C.在底冠表面设计倒凹固位形 D . D.基底冠表面应清洁 E . E.预氧化处理

A . 基底冠表面喷砂处理 B . 瓷的热膨胀系数略小于合金 C . 基底冠表面不应使用含有机物的磨具打磨 D . 可在基底冠表面设计倒凹固位 E . 应清除基底冠表面油污

A . A.机械结合力 B . B.压缩结合力 C . C.化学结合力 D . D.范德华力 E . E.分子间作用力

A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属－瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

A . 金属表面不洁物质的污染 B . 金属表面有害物质的污染 C . 金属基底冠表面喷砂处理不当 D . 金-瓷结合面除气预氧化不正确 E . 环境因素的影响

A . 化学结合力 B . 利用膨胀系数之间的差异产生结合力 C . 分子间力 D . 粘结力 E . 机械结合力

A . A.范德华力 B . B.化学结合力 C . C.大气压力 D . D.机械结合力 E . E.压缩结合力

A . 化学结合力是金瓷结合力的主要组成部分 B . 金属－瓷材料的热膨胀系数要严格匹配，金属的热膨胀系数要略小于瓷的热膨胀系数时有利于金瓷结合 C . 基底冠表面一定的粗糙度对金瓷结合有利 D . 金瓷结合界面间存在分子间力 E . 贵金属基底冠烤瓷前需要预氧化

A . 保证瓷层有足够厚度 B . 避免形成锐角引起应力集中 C . 利于金属肩台承受瓷层传导牙合力 D . 避开直接暴露于唇颊面以免影响美观 E . 避开直接承受咬合力

A . A.用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物 B . 用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物 C . 打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形 D . 禁止使用橡皮轮磨光 E . 用50～100μm的氧化铝喷砂

A . 基底冠表面喷砂处理 B . 瓷的热膨胀系数略小于合金 C . 基底冠表面不应使用含有机物的磨具打磨 D . 可在基底冠表面设计倒凹固位 E . 应清除基底冠表面油污

A . A.应该尽量选择鞍基式桥体设计 B . B.如果缺牙区牙槽嵴吸收严重，则应该尽量选择悬空式桥体 C . C.金-瓷衔接线应该设计在黏膜接触区 D . D.由于金属可以高度抛光，故桥体与黏膜接触部分应尽量用金属 E . E.桥体应增加颊舌径