湿法刻蚀有什么缺点？
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
什么是湿法刻蚀？
在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（）、（）和（）。
什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
光刻的作用是什么？
什么是正光刻胶，负光刻胶？
从刻蚀工艺上可以将刻蚀分为什么种类？
光刻的本质是什么？
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
什么是负性光刻？正性光刻？
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希望有高的刻蚀速率？
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
什么是干法刻蚀？什么是湿法腐蚀？两者所形成的刻蚀剖面有何区别？
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？
