化学抛光
经化学抛光处理后的工件，可以直接进行电镀。
电化学抛光的电流密度过大会引起过腐蚀。
化学抛光溶液的主要成分是盐酸，但因其挥发性造成污染，近年来已进行了改进，减少了污染。
电化学抛光与化学抛光相比较，正确的是（）。
电化学抛光也是一种电解加工，一般均采用以（）为主的抛光液。
电化学抛光时，零件作为阳极。
电化学抛光液的主要成分在下列选项中有（）。
与化学抛光相比，电化学抛光的特点是（）。
常见的电化学加工的方法有电解抛光和（）
化学抛光和电化学抛光对具有微观粗糙的零件进行处理，主要去除（）得到光亮的表层。
以下不属于化学抛光的特点的是（）
金属材料在使用化学抛光时，凸起的部分先溶解。
电化学抛光液和化学抛光液中都含有氢氧化钠。
对于电化学抛光的原理解释，曾提出过下列不同的理论（）。
电化学抛光以（）为主，工件放在阴、阳电极之一的（）。
简述电化学抛光的特点。
电化学抛光的电流密度过低整平作用很差。
简述化学抛光的特点。
化学抛光和电化学抛光相比，电化学除油液的酸性更强。
镀前处理技术中对化学抛光和电化学抛光作异同点的比较。
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（)方面。
下面选项中不属于化学机械抛光CMP工艺缺点的选项是？（)
