硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
硅二极管正向导通电压应为（）。
硅PN结的正向导通电压约为（）.
硅二极管反向导通电流一般（）。
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。
硅二极管的导通电压是0.7V（）
锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
硅二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
发光二极管的工作电流一般为及至十几（）之间，正向导通电压为0.5V~3V
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
发光二极管的工作电流一般为几毫安至十几毫安之间，正向导通电压为0.5V~3V。()
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
4、发光二极管的正向导通电压一般在（）V。
设图8.2.17中各集成运放的最大输出电压+U<sub>OPP</sub>=±12V，稳压管的稳定电压U<sub>Z</sub>=6V，稳压管和二极管的正向导通电压U<sub>0</sub>=0.7V。
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
