二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏量是：发射结加正向电压，集电极加正向电压。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
硅管的正向电压为（）V。
PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。
用直流电压表测量某正常工作的放大电路中的一NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=3V，U2=5.5V，U3=3.7V，则该三级管各管脚的名称是（）
OTL的功率放大电路，正常工作时发射极电压为（）V
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。
对某电路中一个NPN型硅管进行测试，测得UBE<0，UBC<0，UCE>0，则此时该管工作区为：
对于某电路中的一个 NPN 型硅管进行测试，测得 , , 则此管工作在 （ ）
当NPN三极管发射结电压小于0V;集电结电压小于0V时,三极管的工作状态是( )。
对于某电路中的一个 NPN 型硅管进行测试，测得 , , 则此管工作在 （ ）
集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管，VEBO大约（)左右。A
对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE<0，ubc<0，uce>0，则此管工作在（)。
【单选题】当输入电压为正弦信号时，如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流ib的波形将（）。
【单选题】当输入电压为正弦信号时，如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真，则集电极电流ic的波形将（）。
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
2、NPN型硅材料的三极管处于放大状态时，其UBEQ约等于
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE＞0，UBC＜0，UCE＞0，则此管工作在（）。
