晶体三极管在放大器正常工作时，发射极加电压，集电极加（）。
晶体三极管工作在放大状态的条件是发射结加（），集电结加（）。
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。
根据PNP型晶体三极管的电流分配原理，当处于放大状态时，其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是（）。
晶体三极管的发射结正偏时，三极管一定工作在放大状态。
正常工作时，NPN型硅管发射结的电压为（）V。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
硅管的导通电压约为0．3V。
晶体三极管放大时，它的两个PN结的工作状态为（）。
放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（）发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。
三极管处于饱和状态时，发射结、集电结的状态为：（）。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
发射极处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
当三极管处于放大状态时，其集电结与发射结的静态偏置为（）。
工作在放大状态下的晶体三极管，其发射极电流比集电极电流大。此题为判断题(对，错)。
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是( ),流过集电结的电流主要是( )。
（）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态
【单选题】晶体三极管处于放大状态时,集电结和发射结的偏置情况为 （)。
工作在放大状态的晶体管，集电结和发射结的偏置情况为（）
三极管放大时，内部两个PN结的偏置状态应为（）
