硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
硅管的死区电压约为（）。
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
正常工作时，NPN型硅管发射结的电压为（）V。
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
硅管的正向电压为0．2V。
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降，硅管的正向压降一般为0.2—0.4V，锗管正向压降，一般为0.5—0.8V。（）
电路如图所示，D 1 、D 2 均为硅管（正向压降0．7V），D为锗管（正向压降0．3V），U=6V，如果二极管的反向电流为V，则流过D 1 、D 2 的电流分别为：（） https://assets.asklib.com/psource/2015102716062735611.jpg
一般小功率硅管的管压降可为（）V
硅管的正向压降为0.7V。
二极管的正向特性明显分为两个区域，分别是（）和（）区；对硅管而言，这两个区的电压大致为（）和0.7V。
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
通常硅管的死区电压约为（）
硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
管的正向电压为（)V。
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
电路如图所示，D<sub>1</sub>、D<sub>2</sub>均为硅管（正向压降0．7V），D为锗管（正向压降0．3V），U=6V，如果二极管的反向电流为V，则流过D<sub>1</sub>、D<sub>2</sub>的电流分别为：（）<img src='https://img2.soutiyun.com/shangxueba/ask/18078001-18081000/18078598/2015102716062735611.jpg' />
二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）
