下列有关ARC工艺的说法正确的是()。

A . ARC可以是硅的氮化物 B . 可用干法刻蚀除去 C . ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成 D . ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层 E . ARC膜也可以通过CVD的方法形成

时间:2022-11-01 13:28:41 所属题库:集成电路制造工艺员(三级)题库

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