半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
掺杂在半导体生产中的作用有哪些？
属于冷缩型电缆中间头制作时的工艺要求是连接管压接顺序从中间向两边逐步压接、在连接管表面、半导电层与绝缘交界处及绝缘表面均匀涂抹混合济、从开剥长度较长的一端电缆装入冷缩接头主体、抽掉塑料螺旋条，使冷却收缩接头，注意必须确保定位准确，要使接头主体的中心恰好定位在导体压接管的（）位置。
P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。
为了使超声波束聚焦，可在探头晶片前面加装一块具有适当曲率的板，这块板称为（）。
两金属导体中间以绝缘介质相隔，并在导体上分别引出两个电极，就形成了一个（）。
为了形成具有一定阻值的多晶硅电阻，对多晶硅的掺杂有何要求？
（）是在一块半导体材料上，制作出三个区，构成两个PN结，并分别从三个区中引出三条引线，在封装在管壳里。
把一块半导体薄片放在垂直的磁场中，在薄片纵向面通入控制电流，那么在此薄片的横向就会出现一定电势，此现象称（）效应。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
所谓集成电路，指的是在半导体单晶片上制造出含有大量电子元件和连线的电子电路。
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相影响，就必须使它们在电性能上相互绝缘。（）
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
如果（1)硅用铝（3价)、（2)硅用磷（5价)参杂;而（3)锗用铟（3价)、（4)锗用锑（5价)掺杂;则分别获得半导体属于下述类型正确的是（)。
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
