迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
人工光照可以改变鸟类换羽和兽类换毛的时间和速度。（）
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
半导体受到光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度增大，因而导致材料的电导率增大，称为（）效应。
热电阻温度计是根据导体或半导体的电阻随温度变化而改变的原理制成的。
实验活动是改变实验主体和实验环境的实践活动，它们有一个专门称谓是“实验激发”。
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
光线照射在某些半导体上时，它们表现出导体的性质，但在没有光照时，它们（）的性质。
（）、（）和（）均能在特定条件下导致群落结构发生改变。?
半导体的电导率对压力变化、稳定变化、光照变化因素非常敏感。
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
导体和绝缘体并没有绝对的界限。在通常情况下是很好的绝缘体，当条件改变（如电压、温度、湿度）时也可能变成导体。
热电阻温度计是根据导体或半导体的（）随温度变化而改变的原理制成的。
在热电偶测温回路中，只要显示仪表和连接导线两端温度相同，热电偶总电势会因它们的接入而改变，这是根据（）定律而得出的结论。
在热电偶测温回路中，只要显示仪表和连接导线两端的温度相同，热电偶总电势值不会因它们的接入而改变，这是根据（）定律而得出的结论。
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
中国植物学家（）和（）发现光照改变对光合作用速率的瞬间效应。并得出准确的（）
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
在热电偶测温回路中，只要显示仪表和连接导线两端温度相同，热电偶（)不会因他们的接入而改变，这是根据（中间导体)定律而得出的结论。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
若电子和空穴的浓度分别为n、p，迁移率分别为μn、μp，则半导体的电导为：σ=q（）因为n、p、μn、μp都是依赖（），所以电导是温度的函数，因此可由测量电导而推算出温度的高低，并能做出电阻-温度特性曲线．这就是半导体热敏电阻的工作原理
金属导体的（)随温度变化而改变。
