完全纯净的，没有任何杂质且晶体结构完整的半导体的单晶体称为（）。
在气焊时，硫与铁生成硫化亚铁低熔点化合物，并能与其他化合物形成低熔点共晶体，而产生（）。
在结晶过程中，杂质对晶体成长速率（）。
混晶是指与形成沉淀的离子半径相近、晶格相同、又带有（）的杂质离子，可能占有沉淀晶体中原有离子的固定位置，而生成混晶。
一定温度，杂质在晶体中具有最大平衡浓度，这一平衡浓度就称为什么？
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
方解石属三方晶系，六角形晶体，纯净的（）。
下列压电晶体中哪一种用作高温探头较为合适？（）
大多数冰晶体都是在（）间形成，这个温度区间称为最高冰晶体形成阶段。
在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
当晶体生长的较快，内坩埚中杂质量变少，晶体的电阻率（）.
外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子，杂质原子既可以进入间隙位，也可以取代原有原子进入正常结点位置。
掺入杂质原子除形成非整比化合物外，还常常形成结构缺陷。
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
下列压电晶体中哪一种做高频探头较为适宜（）
纯净的氯化钠是（）的立方晶体，属于等轴晶系。
纯净半导体又称为 半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成P型半导体，在纯净半导体中掺入 价杂质元素可形成N型半导体.
室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。
属于非整比化合物结构特点的有（）。
【判断题】矿物晶体的是指在地质作用形成的、具有相对固定化学成分和内部结构的天然化合物。
在纯净半导体中掺入微量五价元素P，可形成（）。（晶体管）
在纯净半导体中掺入微量三价元素硼，可形成（）。（晶体管）
4、4. 当晶体中杂质含量增加时，非本征扩散与本征扩散的温度转折点（)
35、杂质离子与构晶离子的半径相近、电荷相同、所形成晶体的结构相同时，易形成混晶。
