晶体中，每个原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置时其势能为（）。
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
当晶格上的原子位置被外来原子所占据把这样的缺陷叫做（）。
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
在共价晶体中晶格结点上是中性原子，原子间以共价键结合，不断向周围延伸形成一个巨大分子。
溶质原子与溶剂原子的直径差越（），溶入的溶质原子越（），晶格畸变就越（）。
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
即使是相同的原子构成的晶体，只要原子排列的晶格形式不同，则他们之间的性能就会存在很大的差别。
晶格中的结点代表原子在晶体中的平衡位置。
两种元素的原子按一定比例相结合，具有新的晶体结构，在晶格中各元素原子的相互位置是固定的，称为（）。
在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
在金属晶体中晶格结点上排列着金属原子、晶格结点间以金属键结合。
晶界处的晶格不规则，原子排列不整齐，并常有其他杂质原子聚集，故晶界处的强度较高，塑性较低。
体心立方晶格的间隙中能容纳的杂质原子或溶质原子往往比面心立方晶格要多。
晶体中存在的空位、间隙原子、位错等缺陷都会造成晶格畸变，从而使金属的强度（）。
（）是一种物质的原子均匀地溶解在另一种物质的晶格内，形成的单项晶体结构。
根据晶体物质的晶格结点上占据的质点种类（分子、原子、离子）不同与质点排列方式不同，把晶体分为几种类型（）。
晶界处的晶格不规则，原子排列不整齐，并常有其他杂质原子聚集，故晶界处的强度（），塑性（）。
在多晶体中，晶界是原子（离子）快速扩散的通道，并容易引起杂质原子（离子）偏聚，同时也使晶界处熔点（）晶粒；晶界上原子排列混乱，存在着许多空位、位错和键变形等缺陷，使之处于应力畸变状态。
内部原子排列方向一致而外形不规则的晶体叫晶格。
在Si中掺入P原子，形成（）主杂质。
下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
在给硅片清洗时，通常将杂志分为三类，包括（）①分子杂质②原子杂质③化学杂质④离子杂质
