有效复合中心的能级必靠近()
时间:2022-10-29
在温度T=300K,比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。()
时间:2022-10-26
欧姆接触
在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
时间:2022-10-25
一般来说,对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此,为什么?
时间:2022-10-23
何谓深能级杂质,它们电离以后有什么特点?
时间:2022-10-22
电导有效质量和状态密度有效质量有何区别?它们与电子的纵向有效质量和横向有效质量的关系如何?
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
写出半导体的电中性方程,此方程在半导体中有何重要意义?
时间:2022-10-21
说明直接复合、间接复合的物理意义。
时间:2022-10-20
如何理解分布函数与状态密度的乘积再对能量积分即可求得电子浓度?
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
时间:2022-10-17
GaAs具有微分负电导现象,原因在于在强电场作用下,()
时间:2022-10-16
掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率,它们之间有何区别?试从物理模型上予以说明。
空穴
时间:2022-10-15