扩散率越大，杂质在硅片中的移动速度就越大。
油水分离器就是将油和水分离开来的仪器，原理主要是根据水和油的（）差，利用（）原理去除杂质和水份的分离器，内部还有扩散锥，滤网等分离元件。
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
根据键的性质不同，一般把矿物晶格中的键力分为（）、（）、（）及金属键四大类。
根据参与的膜蛋白的不同，易化扩散可分为经（）易化扩散和经（）易化扩散两类
杂质在硅中的扩散方式有哪些？
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
根据溶质原子在溶剂晶格中所占据的位置的不同，固溶体可分为置换固溶体和（）。
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
由于处于晶格位置和间隙位置的粒子势能的不同，在易位扩散、间隙扩散和空位扩散三种机制中，其扩散活化能的大小为（）。
在晶体缺陷理论中外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质，这种杂质原子如果取代原来晶体中的原子而进入正常结点的位置称为（）
晶格扩散
根据溶质原子在溶剂晶格中所处的位置不同，固溶体可以分为（）和（）两类。
为了不使放射性物质污染扩散，通过（）吸附有放射性元素的沸石，可以将放射性离子长久地固定在矿物晶格内。
外来原子进入晶格就成为晶体中的杂质原子，杂质原子既可以进入间隙位，也可以取代原有原子进入正常结点位置。
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
硫化氢应力腐蚀是由于电化学腐蚀的产物氢，在获得足够的能量后变成扩散氢[H]而（）到金属的晶格内部及其（）处，在一定条件下将导致材料的氢脆破坏和氢损伤。
扩散系数与温度有关，温度每增加（）度，各种物质在溶液中的扩散系数平均增加2.6%。
根据抗原抗体反应的方式和特性不同，凝胶沉淀试验可分为________和双向免疫扩散试验。
下面（)选项所描述的扩散是：利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，杂质原子向硅片内部扩散。
根据脱氧机理的不同，脱氧方法分为沉淀脱氧、扩散脱氧和真空脱氧三类。根据脱氧程度的不同，脱氧方法分为镇静钢脱氧、沸腾钢脱氧和半镇静钢脱氧三类（）
1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同，将扩散分为
