由于岩石的成分组构不同,岩石的峰值期前的变形机理比较复杂,但大致可以归纳为()。
WAO(湿式氧化)反应机理比较复杂,根据有关研究提出的氧化反应主要属于自由基反应,通常分为三个阶段,其中没有()阶段。
在空位扩散中,如果迁移的空位的原子是杂质原子,扩散称为()。
杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种,分别是()扩散和()扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分,即(),才有助于形成半导体硅。
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。
WAO(湿式氧化)反应机理比较复杂,一般认为,主要属于()
当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定?试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
采用过滤法除去污水中的杂质时,其所包含的机理很多,从性质上来说一般可分为()种作用。
半导体按掺入杂质性质不同可分为哪两类?
热中子在介质中的扩散,直至被该介质的原子核俘获为止。描述这一物理过程和主要参数是什么?
在多晶体中,晶界是原子(离子)快速扩散的通道,并容易引起杂质原子(离子)偏聚,同时也使晶界处熔点()晶粒;晶界上原子排列混乱,存在着许多空位、位错和键变形等缺陷,使之处于应力畸变状态。
陶瓷生产工艺过程比较复杂,但基本的工艺可分为()、()、()等三大步骤。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
4、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
下面()选项所描述的扩散是:利用保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内,杂质在高温下分解,并与衬底表面的硅原子发生反应,杂质原子向硅片内部扩散。
按激发和发射机理,原子荧光可分为()
重排反应是指在同一分子内,某一原子或基团从一个原子迁移至另一原子而形成新分子的反应。其按机理可分为?()
中草药及其制剂引致不良反应的机理比较复杂,临床表现多样,可发生在人体各个系统,反应程度轻重不一,其中以过敏反应和毒性反应为多见。
WAO(湿式氧化)反应机理比较复杂,根据有关研究提出的氧化反应组要属于自由基反应,通常分为三个阶段,其中没有()阶段。
杂质半导体可分为______型半导体和______型半导体。
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
18、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为
6、根据扩散杂质在晶格中的位置不同,将扩散分为