硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
二极（硅）管的死区电压为（）。
风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.15＜UT≤1.20时，具有每次运行（）ms能力。
若一稳压管的电压温度系数为正值，当温度升高时，稳定电压UV，将（）
高频阻波器出厂验收，当高频阻波器的保护元件为有间隙避雷器时，Ut的数值放电电压为其工频放电电压的上限Ug的（）。
在线监测装置应能承受电压暂降和短时中断为（）UT，持续时间（）个周波的电压暂降和短时中断干扰。
TTL与非门阀值电压UT的典型值是（）。
硅管的正向电压为0．2V。
TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）
硅管的正向电压为（）V。
555集成定时器构成的施密特触发器，当电源电压为15V时，其回差电压⊿UT值为（）。
在每一个波段内，当调谐电压Ut上升时，高频协调器的接受频道也随着升高。
电气化铁道用避雷器的额定电压UT为（）。
风电机组高电压穿越运行时间要求为当1.10＜UT≤1.15时，具有每次运行（）s能力。
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
PMOS管的开启电压为（）
硅管（）的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
管的正向电压为（)V。
起励10秒钟内发电机机端电压Ut大于（）时并且均匀上升，即可认为起励成功
开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
