二极管伏安特性曲线上有一个死区电压，什么是死区电压？
硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
硅二极管的死区约为（）V左右。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
当二极管所加电压很低时，正向（）非常小，属于弱导通状态，通常称这个区域为死区。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
通常硅管的死区电压约为（）
普通锗二极管的死区电压为( )。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
硅二极管死区电压为（）V。
