关于突触后抑制的叙述,错误的是()
A.由抑制性突触活动所引起
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜发生超极化
D.突触后膜发生去极化
E.突触后膜产生抑制性突触后电位
时间:2023-01-23 17:53:52
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和
B . 有空间总和
C . 是"全或无"的
D . 以电紧张方式扩布
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()。
A . 是局部去极化电位
B . 具有"全或无"性质
C . 是局部超极化电位
D . 由突触前膜递质释放量减少所致
E . 由突触后膜对钠通透性增加所致
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关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
A . A.Cl通道开放可降低IPSP
B . B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C . C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D . D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E . E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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下列关于化学突触的叙述,错误的是()
A . 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSP
B . 突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSP
C . 细胞外Ca进入末梢轴浆内,触发突触囊泡的出胞
D . 突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象
E . 突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
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关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
A . Cl
通道开放可降低IPSP
B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D . IPSP使神经元的兴奋性增加
E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K
和Cl
的通透性有关
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关于突触前抑制的叙述,正确的是()
A . 突触前膜超极化
B . 突触后膜超极化
C . 突触前膜去极化
D . 突触后膜去极化
E . 没有神经递质参与
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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A . 突触前轴突末梢超极化
B . 突触后膜对Ca
、K
的通透性增大
C . 突触后膜去极化
D . 突触后膜电位负值增大,出现超极化
E . 突触后膜对K
、Na
,尤其是K
的通透性增大
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以下关于突触后抑制,说法错误的是()
A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
B . 突触后膜产生超极化变化
C . 突触后膜产生部分去极化变化
D . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
E . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种
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下列关于电突触的叙述,错误的是()
A . 电突触传递的结构基础是缝隙连接
B . 局部电流和EPSP能以电紧张的形式从一个细胞传向另一个细胞
C . 电突触传递一般为双向传递
D . 电突触传递一般存在较长的潜伏期
E . 广泛存在于中枢神经系统和视网膜中
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突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
A . 电位大小随刺激的强度改变
B . 有时间总和
C . 有空间总和
D . 是"全或无"的
E . 以电紧张方式扩布
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以下关于突触后抑制,说法错误的是()。
A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
B . 突触后膜产生超极化变化
C . 突触后膜产生部分去极化变化
D . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种
E . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
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关于电突触的叙述,错误的是()。
A . 突触间隙较狭窄
B . 突触前后膜阻抗较低
C . 结构为缝隙连接
D . 传递速度较快
E . 单向传递
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下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
A . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C . 突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D . 潜伏期短,持续时间短
E . 可调节控制感觉信息的传入活动
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关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A . A.突触前轴突末梢超极化
B . B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C . C.突触后膜去极化
D . D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E . E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A . A.是局部除极化电位
B . B.具有"全或无"性质
C . C.是局部超极化电位
D . D.由突触前膜递质释放量减少所致
E . E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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关于电突触的叙述,错误的是:
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4、关于抑制性突触后电位,以下正确的是
A.是局部去极化电位
B.是局部超极化电位
C.由突触前膜递质释放量减少所致
D.由突触后膜对钠通透性增加所致
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关于兴奋性突触后电位的叙述,错误的是()
A.突触前神经元释放兴奋性递质
B.突触后膜产生除极化变化
C.突触后膜对Ca<sup>2+</sup>通透性增加
D.主要使突触后膜Na<sup>+</sup>内流
E.兴奋只能由前膜向后膜传递
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下列关于抑制性突触后电位的叙述()
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
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下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是()
A.a2+由膜外进入突触前膜内
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
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关于突触前抑制的叙述,正确的是()。
A.突触前膜产生去极化
B.突触前膜产生超极化
C.兴奋性递质释放减少
D.抑制性递质释放增加