以下关于突触后抑制,说法错误的是()。
A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
B . 突触后膜产生超极化变化
C . 突触后膜产生部分去极化变化
D . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种
E . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
时间:2022-10-30 18:05:51
所属题库:神经生理学题库
相似题目
-
关于突触传递可塑性的说法中错误的是()
A . 突触易化主要涉及的离子是Ca
B . 突触强化主要是由于前膜内Na蓄积
C . 长时程强化指该突触活动增强
D . 突触强化与Ca浓度增高有关
E . 突触易化与Na蓄积有关
-
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
A . 电位大小随刺激的强度改变B.有时间总和
B . 有空间总和
C . 是"全或无"的
D . 以电紧张方式扩布
-
关于突触传递可塑性的说法,错误的是()
A . 突触易化主要涉及的离子是Ca
B . 突触强化主要是由于前膜内Na
蓄积
C . 长时程强化指该突触活动增强
D . 突触强化与Ca
浓度增高有关
E . 突触易化与Na
蓄积有关
-
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()。
A . 是局部去极化电位
B . 具有"全或无"性质
C . 是局部超极化电位
D . 由突触前膜递质释放量减少所致
E . 由突触后膜对钠通透性增加所致
-
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
A . A.Cl通道开放可降低IPSP
B . B.多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C . C.IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D . D.IPSP使神经元的兴奋性增加
E . E.IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
-
关于抑制性突触后电位不正确()
A . A.不能发生时间和空间总和
B . B.能发生时间和空间总和
C . C.不存在于脊髓反射过程中
D . D.与突触后膜对Cl通透性增加有关
E . E.可发生在突触前抑制过程中
-
下列关于化学突触的说法,错误的是()。
A . A.是存在于可兴奋细胞间的一种连接方式
B . B.其作用是通过释放神经递质来传导兴奋
C . C.由突触前膜、突触后膜和突触间隙构成
D . D.突触后膜内有许多囊泡,称突触小泡
-
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
A . Cl
通道开放可降低IPSP
B . 多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
C . IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
D . IPSP使神经元的兴奋性增加
E . IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K
和Cl
的通透性有关
-
关于突触传递可塑性的说法中错误的是()。
A . 突触易化主要涉及的离子是Ca
B . 突触强化主要是由于前膜内Na
蓄积
C . 长时程强化指该突触活动增强
D . 突触强化与Ca
浓度增高有关
E . 突触易化与Na
蓄积有关
-
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A . 突触前轴突末梢超极化
B . 突触后膜对Ca
、K
的通透性增大
C . 突触后膜去极化
D . 突触后膜电位负值增大,出现超极化
E . 突触后膜对K
、Na
,尤其是K
的通透性增大
-
以下关于突触后抑制,说法错误的是()
A . 一个兴奋性神经元不能直接引起突触后神经元抑制
B . 突触后膜产生超极化变化
C . 突触后膜产生部分去极化变化
D . 是由突触前末梢释放抑制性递质引起的
E . 可分为回返性抑制和传入性抑制两种
-
关于抑制性突触后电位不正确()
A . 不能发生时间和空间总和
B . 能发生时间和空间总和
C . 不存在于脊髓反射过程中
D . 与突触后膜对Cl通透性增加有关
E . 可发生在突触前抑制过程中
-
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
A . 电位大小随刺激的强度改变
B . 有时间总和
C . 有空间总和
D . 是"全或无"的
E . 以电紧张方式扩布
-
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是()
A . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B . 突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C . 突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D . 潜伏期短,持续时间短
E . 可调节控制感觉信息的传入活动
-
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
A . A.突触前轴突末梢超极化
B . B.突触后膜对Ca、K的通透性增大
C . C.突触后膜去极化
D . D.突触后膜电位负值增大,出现超极化
E . E.突触后膜对K、Na,尤其是K的通透性增大
-
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A . A.是局部除极化电位
B . B.具有"全或无"性质
C . C.是局部超极化电位
D . D.由突触前膜递质释放量减少所致
E . E.由突触后膜对钠通透性增加所致
-
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的()
A . 突触前膜去极化
B . 持续时间长
C . 潜伏期较长
D . 通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
E . 轴突末梢释放抑制性递质
-
关于突触后抑制的叙述,错误的是()
A.由抑制性突触活动所引起
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜发生超极化
D.突触后膜发生去极化
E.突触后膜产生抑制性突触后电位
-
4、关于抑制性突触后电位,以下正确的是
A.是局部去极化电位
B.是局部超极化电位
C.由突触前膜递质释放量减少所致
D.由突触后膜对钠通透性增加所致
-
下列关于抑制性突触后电位的叙述()
A.是局部去极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致