突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()。
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位()。
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
关于抑制性突触后电位不正确()
抑制性突触后电位是由于突触后膜出现了去极化。
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
关于抑制性突触后电位不正确()
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征()。
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
4、关于抑制性突触后电位,以下正确的是
除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()
抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现()
突触前抑制的轴一体突触处,突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B.兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处,突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B.兴奋性突触后电位绝对值减小 C.抑制性突触后电位绝对值减小 D.抑制性突触后电位绝对值增大 E.突触后电位变化不大
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项正确:()
抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现()
下列关于抑制性突触后电位的叙述()
抑制性突触后电位抑制性突触后电位()