抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()。
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是()。
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
关于抑制性突触后电位不正确()
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
关于抑制性突触后电位不正确()
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征,下列哪项是错误的()
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
抑制性突触后电位产生的离子机制是()
抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高?
抑制性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性?
4、关于抑制性突触后电位,以下正确的是
除哪项以外,均为快抑制性突触后电位产生过程?()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项正确:()
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致()
下列关于抑制性突触后电位的叙述()