按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。
半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、（）、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。
集成电路按照制造工艺可分为（）。
光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。
集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。
CIMS是指计算机集成制造系统，CAPP是计算机辅助工艺设计。
有水炮泥配料工艺简单，加工制作容易，原料成本低，因此大多数（）高炉仍采用。
按制造工艺集成电路分为（）。
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。
双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
POWER6与POWER55+相比集成度更高，POWER5+采用（）纳米CPU制造工艺，而POWER6采用（）纳米CPU制造工艺。
根据集成电路制造工艺，最容易制作的元件是（）。
第三代电子计算机主要采用超大规模集成电路元件制造成功。
集成电路制造中掺杂类工艺有（）和（）两种。
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
第三代电子计算机主要采用超大规模集成电路元件制造成。
第四代电子计算机主要采用中、小规模集成电路元件制造成功。
把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）
积分集成运放电路的反馈元件采用的是元件（）
多将开关型霍尔集成元件制作成具有史密特特性是为了()。
集成运算放大器基本构成集成运放制造工艺使得同类半导体管的（）
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（)方面。
（）采用集成电路技术和SNT表面安装工艺而制造的新一代光电开关器件，具有延时、展宽、外同步、抗相互干扰、可靠性高、工作区域稳定和自诊断等智能化功能
