集成电路按照制造工艺可分为（）。
超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。
集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
CIMS是指计算机集成制造系统，CAPP是计算机辅助工艺设计。
采用集成制造工艺，最容易制作的元件是（）.
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
按制造工艺集成电路分为（）。
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。
根据集成电路制造工艺，最容易制作的元件是（）。
如果工艺上耗用的动力不多，为了简化核算，可不设置“燃料及动力”成本项目，可将工艺用的动力费用计入“制造费用”成本项目。
光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
光刻工艺包括哪些工艺？
氧化硅的化学机械抛光是集成电路制造中最先进和最广泛的平坦化工艺，主要应用于（)方面。
3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。
5、光刻工艺中常用的光源是
波长（λ）下列哪些波长是光刻工艺中常用的（）
4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？
