硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。
硅管的导通电压约为0．3V。
硅二极管的导通电压是0.7V（）
锗二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
从二极管伏安特性看，当（）时，二极管的导通电阻小.
锗三极管发射结的正向导通电压为（）。
硅管的导通电压为（）
二极管的导通电压都是0.7V。
硅二极管正向导通电压为0.6～0.8V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
图中两个二极管的导通电压为0.7V，请判断VD1、VD2是导通还是截止？http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/f038304d2494d5d5326df3ea6918c277.jpg
电路如图所示，V,其中二极管导通电压为0.7伏，VREF=3V，如果使用横压降模型分析，vo的最大电压是（）8685cf534020365be160df71de251b01.PNG/ananas/latex/p/509350
在一定的温度条件下，如果二极管的导通电压增大，则反向饱和电流也增大。（）
15、VDMOSFET的导通电阻由（）构成。
晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对，错)。
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
（）当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压时，三极管处于截止状态
三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
1、三极管如果有基极电流的话，其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压，如果是常用的硅三极管，这个导通电压大约是（）伏。
