在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了；同时由于功率开关管的导通电阻非常小，所以（）也非常小。
硅管的死区电压约为（）。
二极管当中，硅管的开启电压约为（）v，错管约为（）v。
硅PN结的正向导通电压约为（）.
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
硅管的正向电压为0．2V。
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。
硅管的导通电压为（）
硅管的正向压降为0.7V。
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
通常硅管的死区电压约为（）
硅元素二极管的导通电压约为（）；锗元素二极管的导通电压约为（）；
3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（）
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)
