在谐振型开关电源中，由于功率开关管实现了（）或（）切换，因此基本上消除了；同时由于功率开关管的导通电阻非常小，所以（）也非常小。
硅管的死区电压为05V，锗管的死区电压为（）
硅管的死区电压约为（）。
电流负反馈偏置电路常用于硅管的放大电路。（）
三极管中，硅管的结构主要是（）。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为（）。
硅管的正向导通电压约为0．7V．
硅管的导通电压约为0．3V。
硅管的正向电压为0．2V。
敷设后硅管的弯曲半径应不小于硅管外径的（）倍，一般应大于1m。
硅管与锗管的死区电压分别为（）。
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
高频调谐功率放大器无发射结偏置时，硅管的导通角为40° ~ 60°。
硅管的正向电压为（）V。
一般小功率硅管的管压降可为（）V
硅管的正向压降为0.7V。
三极管的导通电压为（）。
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
图中两个二极管的导通电压为0.7V，请判断VD1、VD2是导通还是截止？http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/f038304d2494d5d5326df3ea6918c277.jpg
通常硅管的死区电压约为（）
晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对，错)。
硅管敷设的曲率半径:应不小硅管的（)倍，硅管端口在人（手)孔的余留长度一般为（)Cm。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约0.7V，锗管发射结的导通电压约0.3V（）
