热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
按石墨管表面不同，石墨管可分为哪几种？
一个MOS管的正常导电特性可分为几个区域？
按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
什么是异质结？按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为哪些类型？异质结形成的条件是什么？制造异质结的技术通常有哪些？
根据形成导电沟道载流子类型的不同，MOS管有几种类型？
根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。（)
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
按照结构，场效应管可分为（)。
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。此题为判断题(对，错)。
当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
N沟道MOS管的转移特性中，下列描述正确的是（）
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
10、P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________
