MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
MOS管的动态特性是什么？受哪些因素影响？尺寸缩小对动态特性的影响是什么？
用什么参数衡量MOS器件的增益？
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？
计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。
根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？
焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
MOS工艺包括有哪几种？MOS工艺的重要参数是什么？什么是特征尺寸？
按MOS沟道随栅压正向和负向增加而形成或消失的机理，存在着哪两种类型的MOS器件？
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。
在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
纳米材料特性源于纳米效应，纳米效应包括：表面效应，小尺寸效应，量子效应，宏观量子隧道效应。
当元器件的尺寸越来越小的时候，表层效应越来越小。
纳米材料特性源于纳米效应，纳米效应包括：表面效应，小尺寸效应，量子效应，宏观量子隧道效应。该描述
当元器件的直径尺寸接近 量级, 元器件可具有量子效应。
5、CCD器件由MOS光敏元阵列和 组成。
