热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS电路不希望发生横向扩散，因为它会导致沟道长度的减小，影响器件的集成度和性能。
从电路原理受控源的角度本质上看，工作在饱和区的MOS晶体管本质等效为电压控制电流源。
如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
基于GaAs的集成电路中有哪几种有源器件？
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？
计算机板卡上的集成电路器件多采用MOS技术制造。
焊接点区域加温时，一般元器件的焊接时间为3秒，场效应管、MOS等电路等控制在（），接线柱、插头、插座、钮子开关、波段开关、焊片等可控制在3–5秒。
集成电路中，有源器件是指哪些种类的晶体管？
CMOS电路是在MOS电路的基础上发展起来的一种互补对称场效应管基成电路。
小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等
什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。
在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET
4、组成放大电路的基本原则之一是电路中必须包含有源器件（）。
数字集成电路按其内部有源器件的不同可以分为两大类：（)。
集成电路按构成有源器件的类型来分，可以分为双极型和
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
MOS半导体存储器中，（)的外围电路简单，速度（)，但其使用的器件多，集成度不高。
