抑制性突触后电位产生的离子机制是（）。
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位（）。
化学突触信号传递过程中，除了Na+以外，最重要的离子是（） 峰电位的产生与哪种离子的平衡电位有关（） 静息状态下，细胞膜上的Na+泵活动维持的是哪种离子的平衡电位（）
关于抑制性突触后电位(IPSP)，下述哪项错误()
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
可产生抑制性突触后电位的离子基础是（）
突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）
下列哪些为兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位的共同特征（）。
关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是()
抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？
抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了下列哪种离子的通透性？
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致()
抑制性突触后电位的形成其突触后膜出现（）
突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对突触前抑制的轴一体突触处，突触后电位变化特征为兴奋性突触后电位绝对值增大 B．兴奋性突触后电位绝对值减小 C．抑制性突触后电位绝对值减小 D．抑制性突触后电位绝对值增大 E．突触后电位变化不大
关于抑制性突触后电位（IPSP)，下述哪项正确:（)
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种的离子通透性增加所致（）
抑制性突触后电位在突触后电位变化呈现（）
抑制性突触后电位抑制性突触后电位（）
突触后电位的产生过程是（）
