双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）
D沟道型场效应管中的载流子是（）
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
增强型NMOS场效应管必须在（）时，才能形成导电沟道，在UGS作用下形成漏极电流ID。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
简述MOS管的导电沟道是如何形成的。
按照导电沟道的不同，MOS管可分为（）。
P 沟道结型场效应管的夹断电压 V P 为 _______ 。
双极型晶体管导电的载流子是_________；N沟道场效应管导电的载流子是__________;P沟道导电的载流子是_______。A电子 B空穴 C电子和空穴
制作p沟增强型MOS管时必须严格控制好氧化层中的正电荷密度，以防在栅压为零时就出现导电沟道。（)
功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。（)
场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
P-MOSFET栅偏压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。（）
当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
N沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管在ID时，栅源电压为负值（）
47、增强型绝缘栅场效应管初始时存在导电沟道。
3、P沟道JFET中的导电载流子是________ 。
11、对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于 后，才会形成导电沟道。
24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
19、增强型MOS场效应管由于预先在SiO2绝缘层中掺入了大量的离子，因此存在原始的导电沟道。
