自掺杂效应
闹离婚的一对夫妻，因为婚内财产分割产生分歧导致离婚陷入僵局。丈夫觉得妻子离世就能独得财产，于是在又一次商谈中，将掺杂了老鼠药的水递给妻子。因掺杂量少，妻子未被毒死。丈夫的行为（ ）。
光纤由（）、（）、（）三大部分组成，其中纤芯主要采用高纯度的（），并掺有少量的掺杂剂。
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
CD越小，源漏结的掺杂区越深。
纤芯主要采用高纯度的（）并掺有少量的掺杂剂。
侧墙用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
掺杂的目的是什么？掺杂在何时进行？惨杂方法有哪几种？
掺杂是什么意思？有哪些常见的技术？
三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
【问答题】一个掺杂的锗晶体电阻温度计 , 它的电阻满足以下方程: (1) 若将它置于液体氦中测得电阻为 218Ω ,则液体氦的温度 为多少 ?(2) 在电阻值从 200Ω 至 30000Ω 范围内作1gR 对 的图
（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
判断：（1）气相外延时，能够通过使用低温硅源降低工艺温度来彻底避免自掺杂效应引起的杂质再分布。 （2）掺杂剂需要用氢稀释十~五十倍，以减小掺杂气体的流量误差。
1、为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种？
一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
