在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。
半导体中的自由电子和空穴的数量相等，这样的半导体叫做（）。
半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。
硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴（大约3%~5%），大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。
“负能空穴”的电荷状态如何？（）
N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。
双极集成电路中的晶体管工作机理依赖于电子或者空穴。
半导体中的电子数大于空穴数。
太阳光的光子在电池里激发电子空穴对，电子和空穴分别向电池的两端移动，如果外部构成通路，就形成电流，产生电压。
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体叫做（）。
真空态是负能态的粒子海，被负能态的粒子所填满。
维持半径大于1光年的虫洞需要大于（）个银河系质量的的负能物质。
半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称（）。（晶体管）
本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）
光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
