MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
由于中放管结电容的存在，中频放大器输入阻抗不仅与（）有关，还与（）有关。①晶体管的输入阻抗②放大器外接负载③晶体管的输出阻抗④放大器信号源的内阻
在高频放大电路中，常用（）来消除晶体管内部反馈的影响。
电子开方器中的自激式间歇振荡器由于采用了深度正反馈，使晶体管工作在导通和截止状态，输出正弦波信号。
高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于（）区。
分压式电流负反馈偏置电路晶体管发射极电容Ce是用来防止对交流信号产生反馈的。（）
由于金属的（）和晶内变形的存在，其变形量可以比较大。低温时，多晶体的（）不可过大，否则将引起金属的破坏。
母线上并联很多设备如变压器、PT等都是电感设备，而且感抗都有比较大，母线对地也存在电容，但电容量都比较小，但我们在分析高频保护的频带内的高频传输时，反而把母线看成电容负载，这是为什么？
高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于线性放大区。
水准测量十字丝视差存在的原因是由于目标在望远镜内形成的像没有落在十字丝平面上。
为了防止高频电磁波干扰无线电通信，要把高频设备安装在带有金属屏蔽的房屋内并在电源网络的入口处加滤波电容。
在离心泵工作时，由于密封环两侧存在着（），所以始终会有一部分液体从叶轮出口向叶轮入口泄漏，形成环流损失。
晶体二极管存在一个结电容，这仅是引脚和壳体形成的。
当信号在一条通道中某线对传输时，由于平衡电缆互感和电容的存在，同时会在相邻线中感应一部分信号，这种现象称为（）。
根据现行广西定额定额，高频阻波器、耦合电容器、结合滤波器等设备安装包括在（）内。
根据现行部颁定额，高频阻波器、耦合电容器、结合滤波器等设备安装包括在（）内。
当离心泵的叶轮在泵体内转动时，由于间隙的存在，这样叶轮出口的高压液体有一小部分会自动流回叶轮进口，或从密封处漏损，这种损失属于（）。
为防止高频电磁波干扰无线电通信，要把高频设备安装在带有金属屏蔽的房屋内并在电源网络入口加滤波电容。
晶体管电路中，发射极电阻都是有负反馈作用的，但如果在电阻旁边并联一个足够大的旁路电容、则可以减少它对交流信号的负反馈作用。
由于放大器的输出与输入间各种寄生反馈引起的寄生振荡叫（）寄生振荡。
母线上并联很多设备如变压器、电压互感器等都是电感设备，而且感抗都有比较大，母线对地也存在电容，但电容量都比较小，但我们在分析高频保护的频带内的高频传输时，反而把母线看成电容负载，这是为什么？
由于晶体管存在着yre的反馈，使晶体管成为一个“双向元件”，从而导致电路的不稳定。为了消除yre的反馈作用，常采用单向化的办法变“双向元件”为“单向元件”。单向化的方法主要有：中和法和 法。
4-1 分布和寄生电容的存在对电容传感器有什么影响？一般采取哪些措施可以减小其影响？
高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（） （A）益太大 （B）通频带太宽 （C）晶体管集电结电容Cb’c的反馈作用 （D）谐振曲线太尖锐
