对于金属晶体来说，增加位错密度或降低位错密度都能增加金属的强度。
晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。（）
晶体中的位错线有几种类型？各有什么特点？
利用（）观察位错有一定的局限性，它只能观察在表面露头的位错，而在晶体内部的位错则无法显示。
晶体中的刃形位错属于（）。
位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）
位错线只能终止在晶体表面或界面上，而不能中止于晶体内部。
单晶体的滑移，实际上是位错的移动。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
随着塑性变形的增加,晶体中的位错在逐渐减少。
在体心立方晶体结构中，柏氏矢量为a［100］的位错（ ）分解为a[111]/2+a[1-1-1]/2。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[111],柏氏矢量b=a[110]/2；此位错为（ ）。
fcc晶体中位错d的位错线方向为L//[11-2],柏氏矢量b=a[-110]/2；此位错可以分解为a[-12-1]/6+a[-211]/6。
在fcc结构的铝单晶体中，对于全位错a [10-1] /2，正确的是（ ）。
2. 晶体中形成螺位错后，原来与位错线垂直的晶面，变为以位错线为中心轴的螺旋面。
刃型位错的位错线与晶体的滑移方向垂直。（)
位错可以在晶体生长和硅片制备过程中的任意阶段产生（）
2、2. 晶体中的位错在应力作用下可产生运动，位错的运动方式有（）。
12、将变形后的金属加热到一定温度，金属原子在高密度位错的晶粒边界或碎晶处形成晶核，并不断长大，按变形前的晶体结构形成新的均匀细小的等轴晶粒的情况下使其力学性能和物理性能部分得以恢复的过程称为（）。
位错属于下列晶体缺陷中的（）
1、试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
位错是晶体的（)缺陷。
1、1．试用位错理论简要解释单晶体滑移变化过程。
当晶体中位错密度很低时，接近于理想状态，晶体强度很高;相反在晶体中位错密度很高时，其强度也很高。（)
