（）指在多泥沙沟道修建的以控制沟道侵蚀、拦泥淤地、减少洪水和泥沙灾害为主要目的的沟道治理工程设施。。
短沟道效应
电力电缆沟道敷设时，电缆（）。
排水沟道应尽可能布置在沿（）位置。
离子注入的沟道效应
（）是利用外加电场，使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小（绝缘栅型）沟道或改变原来导电的大小（结型）来控制电导率变化的原理制成的。
沟道长度调制效应
沟道效应
沟道防护林
在侵蚀沟道源头修建的防止沟道塑源侵蚀的工程设施是（）。
沟道或井下的温度超过（）时，不准进行工作。
单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
开拓沟道定线，就是具体确定露天矿开拓沟道的空间位置。它是在拟定了开拓方法的基础上进行的，可分为（）和（）。
线缆在沟道内敷设进入建筑物后，线缆沟道与建筑物间（）。
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
沟道护岸工程是用来保护沟岸免遭山洪和泥石流冲刷的防护性工程措施，下列哪些情况可选用沟道护岸工程（）。
孔洞及沟道临时盖板因工作需要揭开时，孔洞（沟道）四周应（）根据需要增设夜间警告灯，工作结束应立即恢复
单极型晶体管又称为（）管。其导电沟道分有（）沟道和P沟道。
排水沟分段处以及重要建筑物上、下游水面应平顺衔接。下一级沟道的设计水位宜低于上一级沟道______。
为固定沟床,防治沟蚀，减轻山洪及泥沙危害，合理开发利用水沙资源而在沟道中修筑的工程设施称为水土保持沟道治理工程。此题为判断题(对，错)。
当uGS =0时,（）导电沟道,称为耗尽型MOS管,没有导电沟道的称为增强型MOS管
N沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压VGS越高，沟道电阻（）
E-MOSFET根据导电沟道的电极性，分为N沟道和P沟道。
24、p沟道增强型比n沟道增强型器件更易制造的原因是氧化层正电荷的积累可能会使n型半导体反型。
