电子浓度

在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关

温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

当硫化氢浓度超过安全临界浓度时，点火人员应佩带防护器具。点火人员应在上风方向，离火口距离不得少于（）需用点火枪或电子点火装置远程点火。

通讯机房和电子计算机房等防护区，七氟丙烷的灭火设计浓度宜采用（）

电子捕获器ECD具有对（）进行选择性响应的特性，其捕获电子的能力越强，浓度越高，负峰也越大。

七氟丙烷灭火系统用于通讯机房和电子计算机房等防护区时，其灭火浓度宜采用（）。

金属中的电子浓度很高，因此当温度升高时（）

浓度型检测器有（）检测器和电子捕获检测器。

电子鼻能分辨气体的种类和浓度，有时比人鼻还灵敏，而且，有的气体比如一氧化碳（俗称煤气），人的鼻子是闻不到的，而电子鼻却能感觉到。

自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体

甲烷—氧气显示采用电子数字开关进行转换，两种浓度任意选择。

如何理解分布函数与状态密度的乘积再对能量积分即可求得电子浓度？

对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

在MARK-5油雾浓度监测器测量电路中，变增益放大器共有（）电子开关，最多可得到（）增益。

采用电子测氧仪检查粮堆氧气浓度时，操作人员必须亲自进入粮堆内。

费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。

在本征半导体中，自由电子浓度_______空穴的浓度

已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度

计算含有施主杂质浓度ND=9X 1015cm3及受主杂质浓度为1.1 X 1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型的外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成。①设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

本征半导体中,电子和空穴的浓度相等（）

本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）

46、化合物Cu3Si的电子浓度为3/2。

55、Cu是一价，Sn是四价，则Cu3Sn化合物的电子浓度为7/4。