与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。
内存由半导体存储器组成，存取速度较快，但容量有限，主要用来存放当前正运行的程序和（）。
辅助存储器如磁盘，因为它具有永久性的存储特点和相当接近半导体内存（主存）的速度，所以被广泛使用在今天的计算机系统中。
衡量半导体存储器的最重要的指标是存储器芯片的（）和存储速度。
内存储器一般由半导体存储器构成，通常装在计算机（）上，存取速度快，但容量有限。
目前使用的（）可多次写入的存储单元是在MOS管中置入（）的方法实现的。
PLC中的存储器是一些具有记忆功能的半导体电路。
双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？
内、外存储器的主要特点是内存由半导体大规模集成电路芯片构成，存取速度快、价格高、容址、量小，不能长期保存数据。外存是由电磁转换或光电转换的方式存储数据，容量高、可长期保存，但价格相对较低，存取速度较慢。
内存条的存取速度（存储周期）是指两次独立的存取操作之间所需的最短时间，又称为存储周期，半导体存储器的存取周期时间单位一般是毫秒级。
集成电路中，由MOS管组成的逻辑门叫（）集成逻辑门。
半导体三极管的输入、输出电阻都是非线性的。对于非线性电阻的电路，其电路模型可用一个理想电阻来简单表示。
通信设备内部电路采用大量的半导体MOS、CMOS等器件，由于这类器件对静电的敏感范围为（），所以机房必须采取防静电措施。
PLC中的存储器是一些具有记忆功能的半导体电路。（）
下列半导体存储器中，读/写速度最快的是
24、设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
1. 以P型半导体作衬底的MOS电容器为例，解释为什么要工作在非稳态才便于实现电荷存储？
25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
23、设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。
TTL集成电路工作速度（)、驱动能力（)，但功耗（)、集成度（);MOS集成电路集成度（)、静态功耗（)。
动态RAM的基本存储电路，是利用MOS管栅-源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为了避免所存信息的丢失，必须定时给电容补充电荷，这一操作称为（）。
9、与相同存储容量的SRAM相比，DRAM的存储速度 ，体积 ，外围控制电路 。
27、总的MOS电容C为氧化层单位面积电容Cox与半导体表面空间电荷区的微分电容Cs串联组成。（）
