晶体二极管的伏安特性曲线由正向特性、反向特性、反向击穿电压三部分组成。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
二极（硅）管的死区电压为（）。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。
所谓晶体二极管的伏安特性是指加到二极管两端的电压与流过二极管电流的特性曲线。
晶体三极管工作时，温度升高其死区电压（）；输入特性曲线（）。
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当于（）
二极管正向电压大于死区电压后，正向（）开始明显增加，并且随着正向电压加大，二极管呈现充分导通状态。
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
普通锗二极管的死区电压为( )。
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
当二极管外加的正向超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（）
硅二极管死区电压为（）V。
5、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降
