硅二极管的死区约为（）V左右。
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）
二极（硅）管的死区电压为（）。
硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。
硅二极管的过渡区电压大致在（）V。
在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。
锗材料二极管的死区电压为（）V。
硅二极管的死区电压一般为（）伏。
硅二极管的死区电压约为（）。
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的正向电压约为0.2V。（）
硅半导体二极管的死区电压约为（）。
硅材料二极管的死区电压为（）V。
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。
二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏
硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管（）
在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。
在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS...
