半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
半导体掺杂
如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
半导体有三个主要特征（）、（）和掺杂特征。
掺杂在半导体生产中的作用有哪些？
P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
半导体工艺技术的主要掺杂工艺包括哪两种？
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
半导体有三个主要特性：（）热敏特性、掺杂特性。
掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种？
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
