虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
成熟的焦饼中心温度为（）℃
配煤比自动控制变化时,必须测量焦饼中心温度。
焦饼的中心温度一般在（）℃，焦饼上、下温差应小于（）℃。
焦饼温度一般控制在1000±50℃。
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度上下温差不超过150℃。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
在同一结焦时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变（）。
焦饼中心温度是焦炭成熟的指标，一般生产中焦饼中心温度达（）时焦饼已成熟。
火落时焦饼中心温度大约为（）℃。
测量焦饼中心温度,在插管之后开始测量煤线。
焦饼中心温度为900±50℃。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10℃。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
在同一时间内火道温度每改变10℃，焦饼中心温度相应改变10？5℃。（)
规定焦饼中心温度的范围为1000℃±100℃。此题为判断题(对，错)。
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
一般情况下，配煤水分每波动1%，焦饼中心温度将变化（）
