虽然机、焦侧焦饼中心温度一致，但焦侧焦饼平均温度（）机侧，故随焦饼带走的热量过多，因此，焦侧耗热量大于机侧。
测量焦饼中心温度的目的是什么？在何种情况下，要测焦饼中心温度？
一般情况下，装煤水份每变化1%时，焦饼中心温度将变化（）℃。
焦饼中心温度一般控制在1000±50℃。
焦饼中心温度是评价焦炭均匀成熟的指标。
焦饼中心的温度为（）
焦饼中心温度一般控制在（）。
焦饼中心温度是确定标准火道温度的依据，同时又是确定机、焦侧温度差依据。(）
成熟的焦饼中心温度为（）℃
测量焦饼中心温度的目的是什么？
焦饼中心温度是确立标准立火道温度的依据，同时又是确定机，焦侧温度差的依据。
焦饼中心温度上下两点温度差不超过（）℃。
煤隔绝空气加热，经过干燥、热解、熔融、粘结、固化、收缩等阶段，当焦饼中心温度达到（），最终成为成熟的焦炭。
规定的焦饼中心温度（）。
机焦侧标准温度的温度差，是保证沿炭化室长向焦饼均匀成熟的指标，焦侧的立火道比机侧要低一些。
测量焦饼中心温度时记录哪些技术指标？（）
成熟的焦饼中心面上有一条缝，一般称焦缝，其形成的原因是（）。
测焦饼中心温度是为了（），对大型硅砖焦炉来说，要求最终的焦饼中心温度是（）。
当焦饼中心温度达到（）时，焦炭即告成熟。
对于同一座焦炉，标准温度是根据焦饼中心温度来确定的，结焦时间越长，标准温度越（）。
确定标准温度的依据焦饼中心温度。（)
焦饼中心温度达到℃时焦饼已成熟（）
一般情况下，配煤水分每波动1%，焦饼中心温度将变化（）
为提高焦炭热强度，焦饼中心温度取1050℃为好。（)
